000 claims description 11• 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0. 000 description 10• 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0. このため骨粗鬆症の治療には、のような他のビスホスホネートが使用される。 000 description 3• ホスホン酸SAMの安定性は基板の金属酸化物の種類に依存し、Al 2O 3やTiO 2基板上では比較的安定なSAMが形成されるが、SiO 2基板上のSAMは加水分解を受け易い。
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000 claims description 4• 化学 [ ] 詳細は「」を参照 HEDPは様々な分野で、冷却水、低圧ボイラー、油田などの配管の腐食、を抑制するために使われる。
P363 : 汚染された衣類を再使用する場合には洗濯をすること。 000 claims abstract description 47• 000 description 3• 次にコンタクトレンズを着用していて容易に外せる場合は外すこと。
だが、生活排水に大量に混入すると地下水汚染の原因となるという指摘もある。
239000007983 Tris buffer Substances 0. Gawalt, "Formation of self-assembled monolayers of alkylphosphonic acid on the netive oxide surface of SS316L", Langmuir, 2006, 22, 6469. 125000005843 halogen group Chemical group 0. 150000001350 alkyl halides Chemical class 0. 000 description 3• Phosphonic acid, P- aminomethyl -• 特に法規制を受けている物質ではないが、使用後はよく洗い流すことが推奨される。
000 description 6• 000 description 6• アミノメチル りん酸標準物質• Aminomethylphosphonic Acid AMP• 000 description 4• 000 description 3• 有機シランより、高密度な SAM が形成される()。
繊維業界では金属、非金属双方に対する洗剤として。
000 claims abstract description 6• アミノメチルホスホン酸 STANDARD• 239000007795 chemical reaction product Substances 0. 000 title claims abstract description 35• 有機シランに比べ、試薬の安定性が高い。
239000000203 mixture Substances 0. 125000005918 1,2-dimethylbutyl group Chemical group 0. Aminomethylphosphonic acid-13C,15N,D2• P264 取扱い後は手や顔をよく洗うこと。
000 description 2• Fadeev, "Hydrolytic Stability of Organic Monolayers Supported on TiO 2 and ZrO 2", Langmuir, 2004, 20 6 , 2270. 無理に吐かせないこと。
ホスホン酸誘導体は、Al 2O 3、TiO 2、ZrO 2、SiO 2、マイカ、ステンレス (SS316L)、ニチノール、ヒドロキシアパタイト、ZnO、ITO 等の種々金属酸化物の表面処理・改質剤として、近年、注目されています。 これに対し、ホスホン酸誘導体は非常に安定な化合物であり、試薬が重合することはない。
Fadeev, "Covalent surface modification of calcium hydroxyapatite using n-alkyl- and n-fluoroalkylphosphonic acids", Langmuir, 2003, 19, 7904. PCl 3 または P 3O 6 と冷水との反応で生成するが,熱するとリン酸とホスフィンとに不均化反応する。 亜リン酸トリアルキルエステルは、自発的にO原子からP原子にアルキル基が移動する異性化反応をおこして、アルキルホスホン酸ジアルキルエステルを与える。
000 description 2• 000 abstract description 45• だがエチドロネートは他のビスホスホネートと違い、骨の石灰化も阻害する。
エチドロネートをこの目的で用いる場合、石灰化への影響を最小限にするため短期間の投与に留めなければならない。
230000000052 comparative effect Effects 0. 000 description 5• 238000009776 industrial production Methods 0. 000 description 2• Aminomethyl phosphonic acid,AMPA,• H 3PO 3 と書いて,亜リン酸と称していたことがあったが,これは誤称。
000 description 14• 230000035484 reaction time Effects 0. 絵表示 注意喚起語 危険 危険有害性情報 H302 : 飲み込むと有害。
000 description 3• 000 abstract description 4• Schwartz, "Comparative properties of siloxane vs phosphonate monolayers on a key titanium alloy", Langmuir, 2005, 21 1 , 225. 定義 ChEBI: A member of the class of phosphonic acids that is phosphonic acid substituted by an aminomethyl group. 150000008301 phosphite esters Chemical class 0. 000 description 4• 000 description 2•。 P280 : 保護手袋/保護眼鏡/保護面を着用すること。
Schwartz らは、Ti 酸化膜上に 11-HUPA の SAM を形成して蛍光分子を修飾し、ホスホン酸 SAM が有機シランよりも 4 倍高密度で、アルカリ溶液中で安定性が高いことを示しています。
125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0. 230000002194 synthesizing Effects 0. Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0. azaniumylmethyl hydroxy phosphinate• 有機シランの SAM よりも、安定な SAM が形成される。
000 description 3• これまで用いられてきた有機シラン系の表面処理剤に比べ、多くの利点を有することから、有機半導体デバイスやバイオセンサ、微粒子修飾など様々な分野で応用され始めています。
金属酸化物の表面処理には古くから有機シラン系の自己組織化単分子膜(SAMs)が用いられていますが、安定性が低く、試薬同士の重合が起こるなど必ずしも使い易いものではありません。 x 100mm Eluent : 3mM H 2SO 4 aq. 000 description 3• こうして作製された薄膜トランジスタは高いキャパシタンスと低いリーク電流を示し、消費電力も非常に低いことが示されている。 P390 : 物的被害を防止するためにも流出したものを吸収すること。
10239000007864 aqueous solution Substances 0. 000 description 23• 1-Hydroxyethylidene-1,1-diphosphonate, HEDP 2. 有機シランが Ti 酸化膜上に存在する OH 基としか反応できないのに対し、ホスホン酸誘導体は基板にプロトンを供給することで OH を産生し、高密度に結合すると考えられています。 000 description 4• 000 description 3• Aminomethyanephosphonic Acid-13C-15N• 000 claims description 43• 還元性が強く,貴金属塩から金属を遊離する。
000 claims description 11• Castner, "Structure and Order of Phosphonic Acid-Based Self-Assembled Monolayers on Si 100 ", Langmuir, 2010, 26 18 , 14747. 000 abstract description 151• 000 abstract 1• 000 description 7• P270 : この製品を使用するときに,飲食又は喫煙をしないこと。
によるの分解を防ぐため、漂白剤にも添加される。
また、ホスホン酸誘導体は有機シランに比べ、密度が高く安定な SAM を形成すると報告されています。
直ちに医師に連絡すること。 1066-51-9• 5の水中に室温、7日浸漬しても全く蛍光基が脱離しないのに対し、APTS(アミノプロピルトリエトキシシラン)のSAMでは経時的な蛍光基の脱離が観測されている 図2)。
19Phosphaglycine• 四面体形の [PHO 3] 2- を含む二塩基酸。 その後も洗浄を続けること。
239000002994 raw material Substances 0. 000 description 2• Grundmeier, "Stability of Phosphonic Acid Self-Assembled Monolayers on Amorphous and Single-Crystalline Aluminum Oxide Surfaces in Aqueous Solution", Langmuir, 2010, 26 1 , 156. 000 description 3• 000 claims abstract description 40• aminomethyl phosphonic• ITO 基板にアルデヒドとカルボン酸二種類の表面パターンを作製。
-1 phosphorus compound Chemical class 0. 出典 ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典 ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典について 「ホスホン酸」の解説. また、Kraft らはフッ化アルキルホスホン酸(FDDPA:試作品)の SAM をゲート絶縁膜として利用して、低電圧有機薄膜トランジスタのしきい値電圧の制御に成功しています。
000 description 4• 000 claims description 52• 化学式PH 3O 3、式量82. 000 description 2• 000 claims description 5• アミノメチルホスホン酸• 000 description 2• 000 description 4• 注意書き P264 : 取扱い後は皮膚をよく洗うこと。
注意書き P501 : 残余内容物・容器等は産業廃棄物として適正に廃棄すること。 000 description 6• P264 取扱い後は皮膚をよく洗うこと。
000 description 3• Diethylenetriaminepenta methylene phosphonate , DTPMP Column : Shodex IC NI-424 4. 000 abstract description 4• P405 : 施錠して保管すること。 その後も洗浄を続けること。
125000005916 2-methylpentyl group Chemical group 0. 000 description 2• 000 claims description 52• 次にコ ンタクトレンズを着用していて容易に外せる場合は外す こと。
Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed. H-GLYP- OH 2• 000 description 8• 000 description 3• 238000006297 dehydration reaction Methods 0. 三塩化リンの加水分解により得られる。
無理に吐かせないこと。